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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 44 A
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 91 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 47 ns
正向跨导 - 最小值: 17 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 95 ns
1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g
ADXL1002BCPZ
ADXL1002BCPZ
LM5005MHX/NOPB
TB62705CFG
SM2082C
DS1080LU+T
BD46232G
MAX5702BAUB+T
DS3902U-530+TR
MAX9611AUB+T
MAX11160EUB+T
DS1338U-33+T&R
DS1672U-33+T&R
GL850G
GL850G
UPD48288236FF-EF26-DW1-A
LM2585T-ADJ
BQ20Z951DBTR
LM2576T-12
DS1390U-33+T&R
DS1339U-33+TR
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