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VNS3NV04D

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  • VNS3NV04D-E
    VNS3NV04D-E

    VNS3NV04D-E

  • 深圳市华雄半导体（集团）有限公司
    深圳市华雄半导体（集团）有限公司

    联系人：苗凤军

    电话：17623594308

    地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质：营业执照

  • 9209

  • ST/意法

  • SOP-8

  • 2239+

  • -

  • 十年专营，供应原装正品！热卖现货！

  • VNS3NV04DTR-E
    VNS3NV04DTR-E

    VNS3NV04DTR-E

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人：陈

    电话：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -

  • 原厂原装现货，代找紧缺料

  • VNS3NV04DPTR-E
    VNS3NV04DPTR-E

    VNS3NV04DPTR-E

  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人：柯

    电话：0755-836658130755-83465652

    地址：深南中路佳和大厦B座907

  • 0

  • STMicroelectronics

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm

  • 12+

  • -

  • █原装正品█ 可开17%增票█ 可申请免...

  • VNS3NV04DP-E
    VNS3NV04DP-E

    VNS3NV04DP-E

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人：胡庆伟

    电话：13138879988

    地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 2890

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

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  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
VNS3NV04D 技术参数
  • VNS30-2051 功能描述:N Type Connector Jack, Female Socket 50 Ohm Free Hanging (In-Line) Solder 制造商:cinch connectivity solutions vitelec 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 连接器样式:N 型 连接器类型:插孔，母形插口 触头端接:焊接 保护端接:夹子 阻抗:50 欧姆 安装类型:自由悬挂 电缆组:RG-58 紧固类型:有螺纹 频率 - 最大值:11GHz 特性:- 外壳颜色:银 侵入防护:- 基体材料:黄铜 基体表面:镍 中心触头材料:黄铜 中心触头镀层:金 介电材料:聚四氟乙烯（PTFE） 额定电压:1500V 工作温度:-65°C ~ 165°C 标准包装:25 VNS30-2020 功能描述:N Type Connector Jack, Female Socket 50 Ohm Free Hanging (In-Line) Solder 制造商:cinch connectivity solutions vitelec 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 连接器样式:N 型 连接器类型:插孔，母形插口 触头端接:焊接 保护端接:夹子 阻抗:50 欧姆 安装类型:自由悬挂 电缆组:RG-213 紧固类型:有螺纹 频率 - 最大值:11GHz 特性:- 外壳颜色:银 侵入防护:- 基体材料:黄铜 基体表面:镍 中心触头材料:黄铜 中心触头镀层:金 介电材料:聚四氟乙烯（PTFE） 额定电压:1000V 工作温度:-55°C ~ 85°C 标准包装:25 VNS1NV04TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS1NV04PTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS1NV04P-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS40-2050 VNS40-2051 VNS50-2031 VNS50-2050 VNS50-2051 VNS7NV04-E VNS7NV04PTR-E VNS7NV04TR-E VNT50 VNT50F VNV10N07 VNV10N0713TR VNV10N07-E VNV10N07TR-E VNV14N04 VNV14N04-E VNV20N07 VNV20N0713TR
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