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STCC05-BD4

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  • 功能描述
  • PMIC 解决方案 Home App Control Cir
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • QFN-24
  • 封装
  • Reel
STCC05-BD4 技术参数
  • STCC02-ED5 功能描述:双向可控硅 CONTROL CIRCUIT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB STCB1 功能描述:CONN MOD BLOCK FOR SLIM STICK 制造商:stanley electric co 系列:S-型 零件状态:过期 配件类型:模块耦合器 配套使用产品/相关产品:Slim Stick 模块 标准包装:10 STC6NF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 25V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5NF30V 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STC5NF20V 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 STCD1040RDM6F STCD2400F35F STC-F STCF01PMR STCF02PNR STCF03ITBR STCF03PNR STCF03TBR STCF04TBR STCF05TBR STCF06TBR STCF07PNR STCH02 STCH02TR STCL1100YBFCWY5 STCL1120YBFCWY5 STCL1160YBFCWY5 STCL132KRDEAW89
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