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M29W256GH70ZS6

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M29W256GH70ZS6 技术参数

M29W256GH70ZA6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 M29W256GH70ZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29W256GH70N6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M29W256GH70N6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29W256GH70N3E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP M29W256GL70N6F M29W256GL70N6F TR M29W256GL70ZA6E M29W256GL70ZA6F M29W256GL70ZA6F TR M29W256GL70ZS6E M29W256GL70ZS6F M29W256GL70ZS6F TR M29W256GL7AN6E M29W256GL7AN6F TR M29W256GL7AZA6E M29W256GL7AZS6E M29W256GL7AZS6F TR M29W256GSH70ZS6E M29W256GSH70ZS6F M29W256GSH70ZS6F TR M29W256GSL70ZS6E M29W256GSL70ZS6F