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IRFR320

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  • IRFR320
    IRFR320

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  • 甄芯网
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    联系人:柯先生/赵小姐

    电话:0755-83665813

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部:中航路都会电子3C002B

    资质:营业执照

  • 38000

  • IR

  • TO-252251

  • 2011+

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  • 现货

  • IRFR320TRRPBF
    IRFR320TRRPBF

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  • 深圳市讯顺达科技有限公司
    深圳市讯顺达科技有限公司

    联系人:卓小姐/蔡小姐/庄小姐

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    地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A座15KL

    资质:营业执照

  • 4200

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  • TO252-2

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    IRFR320ATF

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:13428937514

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  • 2383

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4062

  • VISHAY

  • TO-252

  • 2235+

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  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • IRFR320TRPBF
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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人:

    电话:18320850923

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  • VISHAY

  • TO-252-3 (DPAK)

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  • IRFR320TRL
    IRFR320TRL

    IRFR320TRL

  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人:韩小姐

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    地址:北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室,新中发电子市场B1303-b1305柜台

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IRFR320 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
IRFR320 技术参数
  • IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):128nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):158nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRFR3303TR IRFR3303TRL IRFR3303TRLPBF IRFR3303TRPBF IRFR3303TRR IRFR3410PBF IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRPBF IRFR3410TRRPBF IRFR3411PBF IRFR3411TRPBF IRFR3412PBF IRFR3412TRLPBF IRFR3412TRPBF IRFR3412TRRPBF IRFR3418PBF IRFR3418TRLPBF IRFR3418TRPBF
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