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HMC356LP3E

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  • 制造商
  • Hittite Microwave Corp
  • 功能描述
  • IC MMIC AMP LNA HI IP3 16-QFN
HMC356LP3E 技术参数
  • HMC356LP3 功能描述:RF Amplifier IC CDMA, GSM 350MHz ~ 550MHz 16-SMT (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 频率:350MHz ~ 550MHz P1dB:21dBm 增益:17dB 噪声系数:1dB RF 类型:CDMA,GSM 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:104mA 测试频率:350MHz 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-SMT(3x3) 标准包装:1 HMC351S8E 功能描述:RF Mixer IC General Purpose Up/Down Converter 700MHz ~ 1.2GHz 8-SOIC 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:生命周期结束 RF 类型:通用 频率:700MHz ~ 1.2GHz 混频器数:1 增益:- 噪声系数:9dB 辅助属性:升/降频器 电流 - 电源:- 电压 - 电源:- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 HMC349MS8GE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSOP-EP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:47dB @ 4GHz(标准) 插损 @ 频率:1.8dB @ 4GHz IIP3:47dBm(标准) 拓扑:吸收性 电路:SPDT P1dB:31dBm(标准) IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘 供应商器件封装:8-MSOP-EP 标准包装:1 HMC349LP4CE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:62dB @ 4GHz(标准) 插损 @ 频率:1.4dB @ 4GHz IIP3:46dBm(标准) 拓扑:吸收性 电路:SPDT P1dB:31dBm(标准) IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN(4x4) 标准包装:1 HMC349AMS8GETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:50dB @ 3GHz(标准) 插损 @ 频率:1.2dB @ 3GHz IIP3:53dBm(标准) 拓扑:- 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘 供应商器件封装:8-MSG 标准包装:1 HMC35DRAI-S734 HMC35DRAN HMC35DRAN-S734 HMC35DRAS HMC35DRAS-S734 HMC35DREF HMC35DREF-S13 HMC35DREF-S734 HMC35DREH HMC35DREH-S13 HMC35DREH-S734 HMC35DREH-S93 HMC35DREI HMC35DREI-S13 HMC35DREI-S734 HMC35DREI-S93 HMC35DREN HMC35DREN-S13
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