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HMC349AMS8GETR

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  • 功能描述
  • RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSG
  • 制造商
  • analog devices inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • 频率?- 下
  • DC
  • 频率?- 上
  • 4GHz
  • 隔离 @ 频率
  • 50dB @ 3GHz(标准)
  • 插损 @ 频率
  • 1.2dB @ 3GHz
  • IIP3
  • 53dBm(标准)
  • 拓扑
  • -
  • 电路
  • SPDT
  • P1dB
  • 34dBm
  • 特性
  • -
  • 阻抗
  • 50 欧姆
  • 工作温度
  • -40°C ~ 85°C
  • 电压 - 电源
  • 5V
  • RF 类型
  • 通用
  • 封装/外壳
  • 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘
  • 供应商器件封装
  • 8-MSG
  • 标准包装
  • 1
HMC349AMS8GETR 技术参数
  • HMC349AMS8GE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:50dB @ 3GHz(标准) 插损 @ 频率:1.2dB @ 3GHz IIP3:53dBm(最小) 拓扑:- 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘 供应商器件封装:8-MSG 标准包装:1 HMC349ALP4CETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:62dB @ 4GHz(标准) 插损 @ 频率:1.4dB @ 4GHz IIP3:53dBm(标准) 拓扑:- 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN(4x4) 标准包装:1 HMC349ALP4CE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:62dB @ 4GHz(标准) 插损 @ 频率:1.4dB @ 4GHz IIP3:- 拓扑:吸收性 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V RF 类型:通用 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN(4x4) 标准包装:1 HMC348LP3ETR 功能描述:RF Switch IC Cellular, CATV SPDT 2.5GHz 50 Ohm, 75 Ohm 16-SMT (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 频率?- 下:DC 频率?- 上:2.5GHz 隔离 @ 频率:50dB @ 2.5GHz(标准) 插损 @ 频率:0.7dB @ 2.5GHz IIP3:51dBm(标准) 拓扑:吸收性 电路:SPDT P1dB:28dBm(标准) P1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆,75 欧姆 工作温度:-40°C ~ 185°C 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V RF 类型:手机,CATV 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-SMT(3x3) 标准包装:1 HMC347-SX 功能描述:RF Switch IC VSAT SPDT 20GHz 50 Ohm Die 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:生命周期结束 频率?- 下:0Hz 频率?- 上:20GHz 隔离 @ 频率:45dB @ 20GHz(标准) 插损 @ 频率:1.7dB @ 20GHz IIP3:43dBm(标准) 拓扑:吸收性 电路:SPDT P1dB:23dBm(标准) IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-55°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:VSAT 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:2 HMC356LP3TR HMC3587LP3BE HMC3587LP3BETR HMC358MS8GE HMC358MS8GETR HMC35DRAH HMC35DRAH-S734 HMC35DRAI HMC35DRAI-S734 HMC35DRAN HMC35DRAN-S734 HMC35DRAS HMC35DRAS-S734 HMC35DREF HMC35DREF-S13 HMC35DREF-S734 HMC35DREH HMC35DREH-S13
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