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BZX79C18

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功能描述
稳压二极管 18V 0.5W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZX79C18 技术参数

BZX79C16-T50A 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 11.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 基本零件编号:BZX79C16 标准包装:1 BZX79C16_T50R 功能描述:Zener Diode 16V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 11.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX79C16_T50A 功能描述:Zener Diode 16V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 11.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 BZX79-C16,143 功能描述:DIODE ZENER 16V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 700mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:1 BZX79-C16,133 功能描述:Zener Diode 16V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 11.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:10,000 BZX79-C20,113 BZX79-C20,133 BZX79-C20,143 BZX79C20_T50A BZX79C20_T50R BZX79C20-T50A BZX79C22 BZX79C22 A0G BZX79-C22,113 BZX79-C22,133 BZX79-C22,143 BZX79C22_T50A BZX79C22_T50R BZX79C24 BZX79C24 A0G BZX79-C24,113 BZX79-C24,133 BZX79-C24,143