BSZ035N03

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSZ035N03MSG
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
INFINEON/英飞凌
NA
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

BSZ035N03LSG
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3992
INFINEON
QFN8
2217+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BSZ035N03MSGATMA1
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
英飞凌
22+
-
原装正品

2/4页 40条/页共132条
上一页 1 2 3 4 下一页

您是不是要找： BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03MS G BSZ035N03MSGATMA1 BSZ036NE2LS BSZ036NE2LSATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ042N04NS G BSZ042N04NSGATMA1

BSZ035N03 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSZ035N03 技术参数

BSZ034N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 标准包装:1 BSZ033NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 18A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1230pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ031NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 19A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1230pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ028N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ025N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3680pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ058N03LS G BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03MSGATMA1 BSZ060NE2LS BSZ060NE2LSATMA1 BSZ065N03LS BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1