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BR24S16FVM-WTR

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  • 功能描述
  • IC EEPROM 16KBIT 100KHZ MSOP8
  • RoHS
  • 类别
  • 集成电路 (IC) >> 存储器
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 2,000
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存储器
  • RAM
  • 存储器类型
  • SRAM - 异步
  • 存储容量
  • 256K (32K x 8)
  • 速度
  • 15ns
  • 接口
  • 并联
  • 电源电压
  • 3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度
  • -40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳
  • 28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽)
  • 供应商设备封装
  • 28-TSOP
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 其它名称
  • 71V256SA15PZGI8
BR24S16FVM-WTR 技术参数
  • BR24S16FVJ-WE2 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:EEPROM SERIAL-I2C 16K-BIT 2K X 8 2.5V/3.3V/5V 8-PIN TSSOP-BJ - Tape and Reel 制造商:Rohm 功能描述:16k(2048~8) 1.7V to 5.5V VA / I2C 8TSSOP-BJ Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC EEPROM SER I2C 16KBIT 8TSSOP 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:I2C 16K BIT 2K X 8 2.5V/3.3V/5V 8PIN BR24S16FJ-WE2 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 IC 电可擦除可编程只读存储器 16KBIT 400KHZ RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 BR24S128F-WE2 功能描述:IC EEPROM 128KBIT 100KHZ SOP8 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽) 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 BR24S128FV-WE2 功能描述:IC EEPROM 128KBIT 100KHZ SSOP-B8 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽) 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 BR24S128FVT-WE2 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 128Kbit 1.7-5.5V Supply RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 BR24S32FVT-WE2 BR24S32FV-WE2 BR24S32F-WE2 BR24S32NUX-WTR BR24S64FJ-WE2 BR24S64FVJ-WE2 BR24S64FVM-WTR BR24S64FVT-WE2 BR24S64FV-WE2 BR24S64F-WE2 BR24T01FJ-WE2 BR24T01FVJ-WE2 BR24T01FVM-WTR BR24T01FVT-WE2 BR24T01FV-WE2 BR24T01F-WE2 BR24T01NUX-WTR BR24T02FJ-WE2
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