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BLF6G27-10

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

BLF6G27-10 技术参数

BLF6G24-180PN,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 2GHz ~ 2.2GHz 17.5dB 50W SOT539A 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2GHz ~ 2.2GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:- 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:50W 电压 - 额定:- 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标准包装:20 BLF6G22S-45,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 405mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 2.5W CDFM2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:405mA 功率 - 输出:2.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-608B 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:20 BLF6G22LS-75,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 690mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.7dB 17W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.7dB 电压 - 测试:28V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:690mA 功率 - 输出:17W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G22LS-75,112 功能描述:FET RF 65V 2.17GHZ 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.7dB 电压 - 测试:28V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:690mA 功率 - 输出:17W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G22LS-40P,118 功能描述:FET RF 2CH 65V 2.17GHZ SOT1121B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:410mA 功率 - 输出:13.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标准包装:1 BLF6G27-75,112 BLF6G27L-40P,112 BLF6G27L-40P,118 BLF6G27L-50BN,112 BLF6G27L-50BN,118 BLF6G27LS-100,112 BLF6G27LS-100,118 BLF6G27LS-135,112 BLF6G27LS-135,118 BLF6G27LS-40P,112 BLF6G27LS-40P,118 BLF6G27LS-40PGJ BLF6G27LS-50BN,112 BLF6G27LS-50BN,118 BLF6G27LS-75,112 BLF6G27LS-75,118 BLF6G27S-45,112 BLF6G27S-45,118