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AFT18S230S

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  • 制造商
  • FREESCALE
  • 制造商全称
  • Freescale Semiconductor, Inc
  • 功能描述
  • RF Power LDMOS Transitor
AFT18S230S 技术参数
  • AFT18S230-12NR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 1.88GHz 17.6dB 50W OM-780-2L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:1.88GHz 增益:17.6dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:50W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:OM-780-2L2L 供应商器件封装:OM-780-2L2L 标准包装:250 AFT18P350-4S2LR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1A 1.81GHz 16.1dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS（双） 频率:1.81GHz 增益:16.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1A 功率 - 输出:63W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230-4LS2L 供应商器件封装:NI-1230-4LS2L 标准包装:150 AFT18HW355SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.1A 1.88GHz 15.2dB 63W NI-1230S 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS（双） 频率:1.88GHz 增益:15.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A 功率 - 输出:63W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230S 供应商器件封装:NI-1230S 标准包装:150 AFT18HW355SR5 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.1A 1.88GHz 15.2dB 63W NI-1230S 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS（双） 频率:1.88GHz 增益:15.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A 功率 - 输出:63W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230S 供应商器件封装:NI-1230S 标准包装:50 AFT18H357-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.3dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS（双） 频率:1.81GHz 增益:17.3dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA 功率 - 输出:63W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230-4LS2L 供应商器件封装:NI-1230-4LS2L 标准包装:150 AFT20S015GNR1 AFT20S015NR1 AFT21H350W03SR6 AFT21H350W04GSR6 AFT21S140W02GSR3 AFT21S140W02SR3 AFT21S220W02GSR3 AFT21S220W02SR3 AFT21S230-12SR3 AFT21S230SR3 AFT21S230SR5 AFT21S232SR3 AFT21S232SR5 AFT21S240-12SR3 AFT23H160-25SR3 AFT23H200-4S2LR6 AFT23H201-24SR6 AFT23S160W02GSR3
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