您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

ZXQ100A1200V

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

ZXQ100A1200V
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
525
POWER
模块
2010+
-
香港原装现货 3-5天

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： ZXRD060AFK-7 ZXRD060FK-7 ZXRD100ANQ16TA ZXRD100APQ16TA ZXRD1033NQ16TA ZXRD1033PQ16TA ZXRD1050NQ16TA ZXRD1050PQ16TA ZXRE060AET5TA

ZXQ100A1200V PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ZXQ100A1200V 技术参数

ZXNB4202JB16TC 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 SGLE LNB BIAS/CTRL 10V-22V RoHS:否制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel ZXNB4201JA16TC 功能描述:MOSFET BIAS TONE GENERATOR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXNB4200JA16TC 功能描述:MOSFET BIAS TONE GENERATOR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006SGTA 功能描述:MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006DT8TA 功能描述:MOSFET 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXRE060AFT4-7 ZXRE060AH5TA ZXRE060ET5TA ZXRE060H5TA ZXRE1004CFTA ZXRE1004CFTC ZXRE1004DFTA ZXRE1004DFTC ZXRE1004DN8TA ZXRE1004DR ZXRE1004DRSTOA ZXRE1004DRSTOB ZXRE1004DRSTZ ZXRE1004EFTA ZXRE1004EFTC ZXRE1004EN8TA ZXRE1004ER ZXRE1004ERSTOA