VNS3NV04P-E

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说明
操作

VNS3NV04P-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2500
ST
标准封装
13+
-
全新原装，现货，价优！

VNS3NV04P-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
10001
STMicroelectronics
8-SOIC（0.154"，3.90mm
12+
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功能描述
马达/运动/点火控制器和驱动器 OMNIFET II Low Side 120mOhm 3.5A 40V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Stepper Motor Controllers / Drivers
类型
2 Phase Stepper Motor Driver
工作电源电压
8 V to 45 V
电源电流
0.5 mA
工作温度
- 25 C to + 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HTSSOP-28
封装
Tube

VNS3NV04P-E 技术参数

VNS3NV04-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNS3NV04DTR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS3NV04DPTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS3NV04DP-E 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNS3NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS7NV04PTR-E VNS7NV04TR-E VNT50 VNT50F VNV10N07 VNV10N0713TR VNV10N07-E VNV10N07TR-E VNV14N04 VNV14N04-E VNV20N07 VNV20N0713TR VNV20N07-E VNV20N07TR-E VNV28N04 VNV28N04-E VNV28N04TR-E VNV35N07