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深圳市华芯盛世科技有限公司
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VNN1NV04TRE 技术参数

VNN1NV04PTR-E 功能描述:MOSFET 40V 1.7A OMNIFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNN1NV0413TR 功能描述:功率驱动器IC N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNLD5300TR-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:ABD VIPOWER - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC DVR LOW-SIDE 2CH DGTL 8SOIC VNLD5300-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:ABD VIPOWER - Rail/Tube VNLD5090TR-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:ABD VIPOWER - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC DVR LOW-SIDE OMNI III 8SOIC VNP10N06FI VNP10N07 VNP10N07-E VNP10N07FI VNP10N07FI-E VNP14N04 VNP14N04-E VNP14N04FI VNP14NV04 VNP14NV04-E VNP20N07 VNP20N07-E VNP20N07FI VNP28N04 VNP28N04-E VNP28N04FI VNP35N07 VNP35N07-E