STZ150NF55T

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STZ150NF55T
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
P2PAK D.T. 4 LEADS S
06+07+pb-f
-
假一罚十，百分百原装正品

STZ150NF55T
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
P2PAK D.T. 4 LEADS SMD
ST
17+
-
原装正品。优势供应

STZ150NF55T
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2500
ST
标准封装
13+
-
原装正品，现货库存

1/1页 40条/页共6条
1

您是不是要找： STZ5.6NT146 STZ6.2NFHT146 STZ6.2NT146 STZ6.8NT146 STZ6.8TT146 STZB-SK/RAIS STZC6.8NT146 STZD3155CT1G SU-1

STZ150NF55T PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STZ150NF55T 技术参数

STY80NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 37A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:360nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10100pF @ 50V 功率 - 最大值:447W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NM60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:266nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7300pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NM50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:266nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7500pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NK30Z 功能描述:MOSFET N-CH 300V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY50N105DK5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1050V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:175nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6600pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 22A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔供应商器件封装:MAX247? 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA SU1000XLCD SU10K SU10K3/1X SU10KRT3U SU10KRT3UHV SU10VD-20010 SU10VFC-R03370