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配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STSA1805-AP
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6002
ST/意法半导体
Through Hole
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

STSA1805-AP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百正品现货电话010-621049...

STSA1805-AP
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-92AP
18+
-
TRANS NPN 60V 5A TO-...

STSA1805-AP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
99800
STM
TO-92
11+
-
全新原装现货

STSA1805-AP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
TO-92AP
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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1

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功能描述
两极晶体管 - BJT POWER MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

STSA1805-AP 技术参数

STSA1805 功能描述:TRANS NPN 60V 5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,500 STS9P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS9NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:857pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS9NF3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS9NF30L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:730pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ50NH3LL STSJ60NH3LL STSMIA832TBR STSPIN230 STSPIN240 STSPIN250 STSPIN32F0 STSPIN32F0A STSPIN32F0ATR STSPIN32F0TR STSPIN820 STSR2PCD-TR ST-SS STT0001 STT0019 STT-101