STP6635GH.

配单专家企业名单

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说明
操作

STP6635GH.
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18530
S
TO-251
23+
-
全新原装正品现货

STP6635GH.
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
S
TO-251
22+
-
十年配单，只做原装

STP6635GH.
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
31023
S
TO-251
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

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STP6635GH. 技术参数

STP65NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP62NS04Z 功能描述:MOSFET N-CH 33V 62A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:33V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:62A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1330pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP60NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4270pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP60NF06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:66nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP60NF06FP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP6C0.5MBL STP6C0.5MBU STP6C0.5MGR STP6C0.5MGY STP6C0.5MIG STP6C0.5MRD STP6C0.5MYL STP6C1.5M STP6C1.5MBL STP6C1.5MBU STP6C1.5MGR STP6C1.5MGY STP6C1.5MIG STP6C1.5MRD STP6C1.5MYL STP6C10M STP6C10MBL STP6C10MBU