STP60NE0616

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STP60NE0616
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
STMICROELECTRONICSSEMI
原装正品
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

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STP60NE0616 技术参数

STP60N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP60N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.4 毫欧 @ 24A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP5NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:41.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1160pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP5NK80ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:910pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP5NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:910pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP65NF06 STP6C0.2M STP6C0.2MBL STP6C0.2MBU STP6C0.2MGR STP6C0.2MGY STP6C0.2MIG STP6C0.2MRD STP6C0.2MYL STP6C0.5M STP6C0.5MBL STP6C0.5MBU STP6C0.5MGR STP6C0.5MGY STP6C0.5MIG STP6C0.5MRD STP6C0.5MYL STP6C1.5M