STL70N10F3_代理商_批发/采购【买卖IC网】STL70N10F3

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封装
批号
价格
说明
操作

STL70N10F3
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18530
STMICROELECTRONICS
PowerF..
23+
-
全新原装正品现货

STL70N10F3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
STM
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

STL70N10F3
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
ST
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

STL70N10F3
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
ST
近两年生产
8-PowerVDF
-
每一片都来自原厂

STL70N10F3
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET N CH 100V 82A...

STL70N10F3
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14185
STMICROEL
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

STL70N10F3
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
PowerFlat?（5x6）
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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功能描述
MOSFET N-Ch 100V 0.0065 Ohm 16A STripFET III MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STL70N10F3 技术参数

STL6P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:420pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?（5x5）标准包装:1 STL6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:283pF @ 24V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（2x2）标准包装:1 STL6N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:550pF @ 16V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（2x2）标准包装:1 STL66N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.8 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:72W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL75NH3LL STL7DN6LF3 STL7LN80K5 STL7N10F7 STL7N60M2 STL7N6F7 STL7N6LF3 STL7N80K5 STL7NM60N STL80N3LLH6 STL80N4LLF3 STL80N75F6 STL-8-250-12-01 STL-8-250-16-01 STL-8-250-20-01 STL-8-250-3-01 STL-8-250-8-01 STL-8-350-12-01

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