STGY50NB60

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说明
操作

STGY50NB60
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
PLUS247,Max247
25+
-
国产品牌，替代进口

STGY50NB60HD
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ST
TO3P
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STGY50NB60
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原厂原装
15+
-
原装正品，假一罚十

1/1页 40条/页共7条
1

您是不是要找： STGY50NC60WD STGY80H65DFB STGYA120M65DF2 STH110N10F7-2 STH110N10F7-6 STH110N7F6-2 STH12N120K5-2 STH13009 STH130N10F3-2

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT

STGY50NB60 技术参数

STGY40NC60VD 功能描述:IGBT 600V 80A 260W MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):- 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:260W 开关能量:330μJ（开），720μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 测试条件:390V，40A，3.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:44ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STGWT80V60F 功能描述:IGBT 600V 120A 469W TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWT80V60DF 功能描述:IGBT 600V 120A 469W TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 测试条件:400V，80A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:60ns 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWT80H65FB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWT80H65DFB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:85ns 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STH130N8F7-2 STH-14 STH140N6F7-2 STH140N6F7-6 STH140N8F7-2 STH145N8F7-2AG STH150N10F7-2 STH15NB50FI STH160N4LF6-2 STH170N8F7-2 STH175N4F6-2AG STH175N4F6-6AG STH-18 STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2 STH185N10F3-2 STH185N10F3-6