STGB6NC60HDT4_代理商_批发/采购【买卖IC网】STGB6NC60HDT4

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STGB6NC60HDT4
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-263
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STGB6NC60HDT4
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D2PAK/TO-263
25+
-
国产品牌，替代进口

STGB6NC60HDT4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ST
SOT-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STGB6NC60HDT4
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

STGB6NC60HDT4
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
07+
-
假一罚十，百分百原装正品

STGB6NC60HDT4
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
IGBT 600V 15A 56W D2...

STGB6NC60HDT4
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
225000
ST
TO-263
13+
-
全新原装现货

STGB6NC60HDT4
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
D2PAK
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

STGB6NC60HDT4
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
21833
ST/意法
D2PAK
22+
-

STGB6NC60HDT4
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
10
STMICROELECTRONICS
--
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

STGB6NC60HDT4IC
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
20000
ST/意法
TO-263
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

STGB6NC60HDT4
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
48000
ST
TO-263
13+
-
原装现货/特价

STGB6NC60HDT4
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
D2PAK
ST
17+
-
原装正品。优势供应

STGB6NC60HDT4
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4480
ST
TO-247
2234+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

STGB6NC60HDT4 技术参数

STGB6NC60HD-1 功能描述:IGBT 600V 15A 56W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ（开），68μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:21ns 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAK 标准包装:1,000 STGB5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 开关能量:56μJ（开），78.5μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:134.5ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB4M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 开关能量:40μJ（开），136μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:133ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 开关能量:456μJ（开），411μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB40H65FB 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 开关能量:498μJ（开），363μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ STGD20N40LZ STGD20N45LZAG STGD25N40LZAG STGD3HF60HDT4

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