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配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STGB3NB60FDT4
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D2PAK/TO-263
25+
-
国产品牌，替代进口

STGB3NB60FDT4
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
ST
07+
-
假一罚十，百分百原装正品

STGB3NB60FDT4
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

STGB3NB60FDT4
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原厂原装
15+
-
原装正品，假一罚十

STGB3NB60FDT4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ST
D2PAK
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

STGB3NB60FDT4
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
23082
ST/意法
D2PAK
22+
-

STGB3NB60FDT4
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
IGBT 600V 6A 68W D2P...

STGB3NB60FDT4
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4025
STMICROEL
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

STGB3NB60FDT4
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
D2PAK
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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1

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功能描述
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3.0 A
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

STGB3NB60FDT4 技术参数

STGB35N35LZT4 功能描述:IGBT 345V 40A 176W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:345V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:49nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1μs/26.5μs 测试条件:300V，15A，5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB35N35LZ-1 功能描述:IGBT 345V 40A 176W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:345V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:49nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1μs/26.5μs 测试条件:300V，15A，5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STGB30V60F 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 开关能量:383μJ（开），233μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB30V60DF 功能描述:IGBT 600V 60A 258W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 功率 - 最大值:258W 开关能量:383μJ（开），233μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:53ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB30NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 60A 200W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:200W 开关能量:305μJ（开），181μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 测试条件:390V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HT4 STGB7H60DF STGB7NB40LZT4 STGB7NB60HDT4 STGB7NB60KDT4 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4

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