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价格
说明
操作

STGB20NB32LZT4
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
3000
ST
D2PAK
20+
-
科思奇现货库存，全新原装

STGB20NB32LZT4
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
ST
D2PAK
4
-
假一罚十，百分百原装正品

STGB20NB32LZT4
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原厂原装
15+
-
原装正品，假一罚十

STGB20NB32LZT4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ST
TO263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STGB20NB32LZT4
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
14822
ST
TO263
21+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

STGB20NB32LZT4
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO263
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STGB20NB32LZT4
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
ST
正品封装
23+
-
正规商现货供应

STGB20NB32LZT4
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
74110
ST
TO263
14+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

STGB20NB32LZT4 技术参数

STGB20NB32LZ 功能描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:375V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 4.5V，20A 功率 - 最大值:150W 开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3μs/11.5μs 测试条件:250V，20A，1 千欧，4.5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 STGB20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1μs/4.6μs 测试条件:300V，10A，1 千欧，5V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB20N40LZ 功能描述:IGBT 390V 25A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:390V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.6V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:700ns/4.3μs 测试条件:300V，10A，1 千欧，5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 STGB20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 开关能量:209μJ（开），261μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:115nC 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:90ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):- 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 开关能量:81μJ（开），125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF

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