STFI24N60M2_代理商_批发/采购【买卖IC网】STFI24N60M2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
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批号
价格
说明
操作

STFI24N60M2
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13740
ST
TO-262F
23+
-
全新原装正品现货特价

STFI24N60M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
130000
ST/意法
NA
23+
-
18万条库存，一站式配齐

STFI24N60M2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-220F
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STFI24N60M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STFI24N60M2
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
62045
STMicroelectronics
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

STFI24N60M2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
STMicroel
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STFI24N60M2
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
ST/意法半导体
TO-262F
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

STFI24N60M2
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
I2PAKFP（TO-281）
18+
-
MOSFET N CH 600V 18A...

STFI24N60M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2470
STMICROEL
管件
1521+
-
全新原装现货

STFI24N60M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
I2PAKFP （281）
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

STFI24N60M2
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
200
ST/意法
NA
-
可订货，请确认

STFI24N60M2IC
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
20000
ST/意法
TO-262
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

STFI24N60M2
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
500
STM
ORIGONAL
16+
-
1.23664 USD,szpoweri...

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1

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制造商
STMicroelectronics
功能描述
POWER MOSFET - Rail/Tube
制造商
STMicroelectronics
功能描述
MOSFET N CH 600V 18A TO281
制造商
STMicroelectronics
功能描述
600V,0.168,18A,N-Channel Power MOSFET
制造商
STMicroelectronics
功能描述
N-channel 600V,0.168Ohm,18A Power MOSFET

STFI24N60M2 技术参数

STFI20NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1280pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI20NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:119nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI20N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1345pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI15NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:983pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI15N95K5 功能描述:N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:855pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:30W 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 毫欧 @ 5.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 标准包装:50 STFI4N62K3 STFI5N95K3 STFI6N62K3 STFI6N65K3 STFI6N80K5 STFI7LN80K5 STFI7N80K5 STFI8N80K5 STFI9N60M2 STFI9N80K5 STFILED524 STFILED625 STFILED627 STFN42 STFPC311 STFPC311BTR STFPC320BTR STFU13N60M2