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SSTVF16859AFT

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SSTVF16859AFT
深圳市华芯盛世科技有限公司
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联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ICS
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SSTVF16859AFT 技术参数

SSTVF16857EV,518 功能描述:寄存器 DDR2700-3200 SSTL2 RoHS:否制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube SSTVF16857DGV,118 功能描述:寄存器 DDR 2700-3200 SSTL2 RoHS:否制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube SSTVF16857DGV,112 功能描述:寄存器 DDR 2700-3200 SSTL2 RoHS:否制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube SSTVF16857DGG,518 功能描述:寄存器 DDR2700-3200 SSTL2 RoHS:否制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube SSTVF16857DGG,512 功能描述:寄存器 DDR2700-3200 SSTL2 RoHS:否制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube SSTVN16859BS,118 SSTVN16859BS,151 SSTVN16859BS,157 SSTW001A3B41-SRZ SSTW001A3B41Z SSTW003A0A41-SRZ SSTW003A0A41Z SSTW005A0F41 SSTW005A0F41-SRZ SSTW005A0F41Z SSU SSU1N50BTU SSU1N60BTU_WS SSU1N60BTU-WS SSU2-100 SSU2-100-EMB SSU2-100IND SSU2-300