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SI7302DN-T1-GE3

配单专家企业名单
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • TrenchFET®
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
SI7302DN-T1-GE3 技术参数
  • SI72XX-WD-KIT 功能描述:DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7 制造商:silicon labs 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 SI7217-B-01-IV 功能描述:MANGETIC SENSOR LINEAR ANALOG 制造商:silicon labs 系列:* 包装:剪带 零件状态:在售 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标准包装:300 SI7216-B-00-IVR 功能描述:MANGETIC SENSOR LINEAR ANALOG 制造商:silicon labs 系列:- 包装:- 零件状态:在售 类型:罗盘/磁力计 技术:霍尔效应 轴:Z 输出类型:PWM,SENT 电压 - 电源:4 V ~ 26.5 V 电流 - 电源(最大值):9mA 电流 - 输出(最大值):- 分辨率:13 b 带宽:1kHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 SI7216-B-00-IV 功能描述:MANGETIC SENSOR LINEAR ANALOG 制造商:silicon labs 系列:* 包装:剪带 零件状态:在售 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:300 SI7215-B-00-IVR 功能描述:MANGETIC SENSOR LINEAR SENT 制造商:silicon labs 系列:- 包装:- 零件状态:在售 类型:罗盘/磁力计 技术:霍尔效应 轴:Z 输出类型:PWM,SENT 电压 - 电源:3.3 V ~ 26.5 V 电流 - 电源(最大值):8.5mA 电流 - 输出(最大值):- 分辨率:13 b 带宽:1kHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 SI7322DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-E3 SI7326DN-T1-GE3 SI7328DN-T1-E3 SI7328DN-T1-GE3 SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-GE3 SI7342DP-T1-GE3 SI7344DP-T1-E3 SI7356ADP-T1-E3 SI7356ADP-T1-GE3 SI7358ADP-T1-E3 SI7358ADP-T1-GE3 SI7366DP-T1-E3 SI7366DP-T1-GE3 SI7368DP-T1-E3 SI7368DP-T1-GE3 SI7370ADP-T1-GE3
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