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SI5905DC-T1-GE3

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SI5905DC-T1-GE3 PDF下载
  • 功能描述
  • MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
  • 系列
  • TrenchFET®
  • 产品目录绘图
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫欧 @ 4.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
  • 3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装
  • PowerPAK? SO-8
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 产品目录页面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名称
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5905DC-T1-GE3 技术参数
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