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SI5504BDC-T1-GE3

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  • SI5504BDC-T1-GE3
    SI5504BDC-T1-GE3

    SI5504BDC-T1-GE3

    现货
  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人：唐先生

    电话：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质：营业执照

  • 3000

  • Vishay(威世)

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  • SI5504BDC-T1-GE3
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

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  • 原厂封装

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  • SI5504BDC-T1-GE3
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 14200

  • VISHAY SI

  • 剪切带（CT

  • 1521+

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  • 全新原装现货

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  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人：韩小姐

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    地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台

  • 39

  • VISHAY

  • N/A

  • 1706+

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  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
  • 系列
  • TrenchFET®
  • 产品目录绘图
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫欧 @ 4.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
  • 3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装
  • PowerPAK? SO-8
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 产品目录页面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名称
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5504BDC-T1-GE3 技术参数
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