您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 > P字母第1527页 >

PMV1216GY

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PMV1216GY
    PMV1216GY

    PMV1216GY

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-621049316210489162104578

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • Hammond Manufacturing

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,原装正品

  • PMV1216GY
    PMV1216GY

    PMV1216GY

  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售部经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石

    资质:营业执照

  • 566

  • Hammond Manufacturing

  • 标准封装

  • 23+

  • -
  • 真实的资源竭诚服务您!

  • 1/1页 40条/页 共1条 
  • 1
PMV1216GY PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 电气外壳 VERT CHANNEL 4 STEEL GY
  • RoHS
  • 制造商
  • Bud Industries
  • 产品
  • Wall Mount Enclosures
  • 类型
  • Single Door
  • NEMA 额定值
  • 3R
  • 外部深度
  • 254 mm
  • 外部高度
  • 305 mm
  • 外部宽度
  • 305 mm
  • 面板宽度
  • 261 mm
  • 面板高度
  • 261 mm
  • 材料
  • Steel
  • 颜色
  • Gray
  • 通风
  • Not Available
PMV1216GY 技术参数
  • PMV120ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):275pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):513mW(Ta), 6.4W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):123 毫欧 @ 2.1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV117EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):117 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):147pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PMV100XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):386pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):463mW(Ta), 1.9W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):128 毫欧 @ 2.4A, 4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV100ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):460mW(Ta), 4.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 3A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMU-27V155WCCA 功能描述:AC/DC CONVERTER 27V 155W 制造商:delta electronics 系列:PMU 零件状态:在售 类型:封闭式 输出数:1 电压 - 输入:90 ~ 132 和 180 ~ 264VAC 电压 - 输出 1:27.6V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电压 - 输出 4:- 电流 - 输出(最大值):5.5A 功率(W):155W 应用:ITE(商业) 电压 - 隔离:3kV 效率:89% 工作温度:-20°C ~ 70°C(有降额) 特性:可调输出 安装类型:底座安装 大小/尺寸:7.01" 长 x 3.82" 宽 x 1.50" 高(178.0mm x 97.0mm x 38.0mm) 所需最小负载:- 认可:CB,CCC,CE,cURus,SIQ 标准包装:1 PMV1-4RB-XY PMV1-5FB-CY PMV1-5RB-3K PMV1-5RB-CY PMV1-5RB-XY PMV160UP,215 PMV160UPVL PMV1-6FB-CY PMV1-6RB-CY PMV1-6RB-XY PMV16UN,215 PMV16XNR PMV170UN,215 PMV185XN,215 PMV1-P10-CY PMV1-P12B-3K PMV2024GY PMV20ENR
配单专家

在采购PMV1216GY进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PMV1216GY产品风险,建议您在购买PMV1216GY相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PMV1216GY信息由会员自行提供,PMV1216GY内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号