PMBS3904(P04)

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PMBS3904(P04)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
15326
PHILIPS
SOT23
2024+
-
绝对装原现货

PMBS3904(P04)
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
PHI
SOT-23
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： PMBS3904,215 PMBS3904,235 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX

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PMBS3904(P04) 技术参数

PMBFJ620,115 功能描述:JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:24mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:50 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 功率 - 最大值:190mW 标准包装:1 PMBFJ310,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:24mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:50 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 PMBFJ309,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:12mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:50 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:800mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:300 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:250 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315 PMBT3904VS,115 PMBT3904YS,115 PMBT3906,215 PMBT3906,235