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PHP45NQ10T.127

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PHP45NQ10T.127
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
32449
NXP/恩智浦
22+
-
终端免费提样，可开票

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PHP45NQ10T.127 技术参数

PHP45NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP36N03LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:43.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:57.6W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP33NQ20T,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:32.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1870pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:77 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP30NQ15T,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 29A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2390pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:63 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP29N08T,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:11V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 14A，11V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP63NQ03LT,127 PHP66NQ03LT,127 PHP71NQ03LT,127 PHP73N06T,127 PHP75NQ08T,127 PHP78NQ03LT,127 PHP79NQ08LT,127 PHP8.4 PHP83N03LT,127 PHP96NQ03LT,127 PHP9NQ20T,127 PH-PCBA1 PH-PCBA2 PHPF19005BK2 PHPF19005CG2 PHPF19005LG2 PHPF19008BK2 PHPF19008CG2