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PHOENIXC2UP9-PO

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PHOENIXC2UP9-PO
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
6086
SANDISK
BGA
22+
-
原厂原装现货

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您是不是要找： PHOTONH PHOTONKIT PHOTONNOH PHP.0F.303.XLM PHP.0F.305.NLM PHP.0F.305.XLM PHP.1F.308.XLM PHP.2F.308.XLM PHP.2M.319.XLMT

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PHOENIXC2UP9-PO 技术参数

PHNTRAYNOH 功能描述:PHOTON WITHOUT HEADERS IN TRAYS 制造商:particle industries, inc. 系列:WICED 零件状态:在售类型:收发器；802.11 b/g/n（Wi-Fi，WiFi，WLAN）频率:2.4GHz 配套使用产品/相关产品:BCM43362，STM32F205 所含物品:板标准包装:1 PHNTRAYH 功能描述:PHOTON WITH HEADERS IN TRAYS 制造商:particle industries, inc. 系列:WICED 零件状态:在售类型:收发器；802.11 b/g/n（Wi-Fi，WiFi，WLAN）频率:2.4GHz 配套使用产品/相关产品:BCM43362，STM32F205 所含物品:板标准包装:1 PHN210T,118 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHL5830AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:1 PHL3212 功能描述:LABEL 3"X1.5" BLUE/RED/WHITE 制造商:panduit corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:标签标签类型:- 标签尺寸:3.00" 长 x 1.50" 宽（76.2mm x 38.1mm）材料:乙烯基颜色:蓝色，红色，白色配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 PHP00603E1000BBT1 PHP00603E1000BST1 PHP00603E1001BBT1 PHP00603E1001BST1 PHP00603E1002BBT1 PHP00603E1002BST1 PHP00603E1010BBT1 PHP00603E1010BST1 PHP00603E1011BBT1 PHP00603E1011BST1 PHP00603E1012BBT1 PHP00603E1012BST1 PHP00603E1020BBT1 PHP00603E1020BST1 PHP00603E1021BBT1 PHP00603E1021BST1 PHP00603E1022BBT1 PHP00603E1022BST1