PHN210118

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PHN210118
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PHI
原厂封装
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PHN210118 技术参数

PHL5830AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:1 PHL3212 功能描述:LABEL 3"X1.5" BLUE/RED/WHITE 制造商:panduit corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售类型:标签标签类型:- 标签尺寸:3.00" 长 x 1.50" 宽（76.2mm x 38.1mm）材料:乙烯基颜色:蓝色，红色，白色配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 PHK04P02T,518 功能描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:16V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:528pF @ 12.8V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 PHG.1B.308.CLLD52Z 功能描述:8 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包装:散装零件状态:有效连接器类型:插座，母形插口针脚数:8 外壳尺寸 - 插件:308 外壳尺寸，MIL:- 安装类型:自由悬挂端接:焊杯紧固类型:推挽式，销锁朝向:G 侵入防护:IP50 - 防尘外壳材料，镀层:黄铜，镀铬触头镀层:金特性:后壳，屏蔽触头镀层厚度:59μin（1.50μm）额定电流:- 电压 - 额定:- 工作温度:-55°C ~ 250°C 标准包装:1 PHG.1B.306.CLLD52Z 功能描述:6 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包装:散装零件状态:有效连接器类型:插座，母形插口针脚数:6 外壳尺寸 - 插件:306 外壳尺寸，MIL:- 安装类型:自由悬挂端接:焊杯紧固类型:推挽式，销锁朝向:G 侵入防护:IP50 - 防尘外壳材料，镀层:黄铜，镀铬触头镀层:金特性:后壳，屏蔽触头镀层厚度:59μin（1.50μm）额定电流:- 电压 - 额定:- 工作温度:-55°C ~ 250°C 标准包装:1 PHP.0F.305.NLM PHP.0F.305.XLM PHP.1F.308.XLM PHP.2F.308.XLM PHP.2M.319.XLMT PHP00603E1000BBT1 PHP00603E1000BST1 PHP00603E1001BBT1 PHP00603E1001BST1 PHP00603E1002BBT1 PHP00603E1002BST1 PHP00603E1010BBT1 PHP00603E1010BST1 PHP00603E1011BBT1 PHP00603E1011BST1 PHP00603E1012BBT1 PHP00603E1012BST1 PHP00603E1020BBT1