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PHD3055E,118

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PHD3055E,118 技术参数
  • PHD13005,127 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 PHD13003C,412 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2.1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:10,000 PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:340mA，235mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A，2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:93W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PHD38999/26WC8SN PHD38999/26WF30SN PHD3899920FF30PN PHD3899920FH48PN PHD3899924WC8PN PHD3899926FB4PN PHD3899926WC8PA PHD3899926WC8PN PHD38N02LT,118 PHD45N03LTA,118 PHD45NQ15T,118 PHD55N03LTA,118 PHD63NQ03LT,118 PHD66NQ03LT,118 PHD71NQ03LT,118 PHD77NQ03T,118 PHD78NQ03LT,118 PHD82NQ03LT,118
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