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PHB38N02LT

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • PHB38N02LT
    PHB38N02LT

    PHB38N02LT

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • N

  • SOT404(D

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • PHB38N02LT
    PHB38N02LT

    PHB38N02LT

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • PHILIPS

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • PHB38N02LT
    PHB38N02LT

    PHB38N02LT

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:13760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 20000

  • PHILIPS

  • TO-263

  • 假一赔十!!

  • -
  • 绝对原装现货!

  • PHB38N02LT
    PHB38N02LT

    PHB38N02LT

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • PHILIPS

  • TO-263

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PHB38N02LT
    PHB38N02LT

    PHB38N02LT

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 19833

  • NXP/恩智浦

  • D2PAK

  • 22+

  • -
  • PHB38N02LT
    PHB38N02LT

    PHB38N02LT

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • PHB38N02LT
    PHB38N02LT

    PHB38N02LT

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 20000

  • PHILIPS

  • TO-263

  • 08+

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  • 绝对公司原装现货

  • PHB38N02LT?
    PHB38N02LT?

    PHB38N02LT?

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • PHILIPS

  • 价格优势

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • PHB38N02LT,118
    PHB38N02LT,118

    PHB38N02LT,118

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 20V 44.7...

  • PHB38N02LT
    PHB38N02LT

    PHB38N02LT

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2500

  • NXP

  • SOT404

  • 13+

  • -
  • 全新原装,现货,价优!

  • 1/1页 40条/页 共30条 
  • 1
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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全称
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TrenchMOS logic level FET
PHB38N02LT 技术参数
  • PHB33NQ20T,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32.7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):32.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1870pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):77 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PHB32N06LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1280pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):97W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):37 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PHB29N08T,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):88W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 14A,11V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PHB27NQ10T,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1240pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):107W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 14A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PHB222NQ04LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):93.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7880pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 PHB-5R0V155-R PHB-5R0V255-R PHB-5R0V305-R PHB-5R0V505-R PHB66NQ03LT,118 PHB73N06T,118 PHB78NQ03LT,118 PHB95NQ04LT,118 PHB96NQ03LT,118 PHC.0B.302.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD35 PHC.0B.303.CLLD35Z PHC.0B.303.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD52Z PHC.0B.304.CLLD21 PHC.0B.304.CLLD42 PHC.0B.304.CLLD42Z PHC.0B.304.CLLD52
配单专家

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