PH2530AL,115

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型号
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PH2530AL,115
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT669
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PH2530AL,115
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
30000
NEXPERIA/安世
SOT669
-
授权代理/原厂FAE技术支持

PH2530AL,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 30V 100A...

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功能描述
MOSFET PH2530AL/LFPAK/REEL7
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PH2530AL,115 技术参数

PH2520U,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:78nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 25A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH-230Q 功能描述:8 Ohm Mounted Speaker Speaker 15W 350Hz ~ 7kHz User Defined Round 制造商:mallory sonalert products inc. 系列:PH 零件状态:有效类型:安装式扬声器频率范围:350Hz ~ 7kHz 阻抗:8 欧姆声压级:- 功率 - 额定值:15W 功率 - 最大值:15W 端口位置:用户自定义形状:圆形材料 - 锥体:- 材料 - 磁铁:- 端接:导线引线大小/尺寸:156.00mm 直径高度:132.10mm 标准包装:1 PH20100S,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2264pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH1955L,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17.3 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1992pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PH18CNB20PAM1SA 功能描述:SENS PHOTO M18 PNP NO+NC 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:* 包装:散装零件状态:在售安装类型:面板安装封装/外壳:模块标准包装:1 PH-2600-A1 PH-2600-A6 PH2600E PH-2600K-A1 PH-2600K-A6 PH2601E PH-2-60M PH-260Q PH-2610-A1 PH-2610-A6 PH-2610K-A1 PH-2610K-A6 PH262 PH2620C PH2621C PH2625C PH2625L,115 PH2650G