PEMH9115

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PEMH9115
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
Nexperia
-
22+
-
原厂渠道，现货配单

PEMH9115
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
NXP
标准封装
10+
-
全新原装100%正品保证质量

PEMH9115
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王俊杰
电话：188185984650755-23763516
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Nexperia USA Inc.
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

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您是不是要找： PEMI1QFN/CE,315 PEMI1QFN/CG,315 PEMI1QFN/CK,315 PEMI1QFN/CM,315 PEMI1QFN/CP,315 PEMI1QFN/CR,315 PEMI1QFN/CT,315 PEMI1QFN/HE,315 PEMI1QFN/HG,315

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANS NPN/NPN 50V 0.1A SOT666

PEMH9115 技术参数

PEMH9,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMH20,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:2.2 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:* 标准包装:1 PEMH15,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:4.7 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMH13,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMH11,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMI1QFN/HK,315 PEMI1QFN/HM,315 PEMI1QFN/HP,315 PEMI1QFN/HR,315 PEMI1QFN/HT,315 PEMI1QFN/LE,315 PEMI1QFN/LG,315 PEMI1QFN/LK,315 PEMI1QFN/LM,315 PEMI1QFN/LP,315 PEMI1QFN/LR,315 PEMI1QFN/LT,315 PEMI1QFN/RE,315 PEMI1QFN/RG,315 PEMI1QFN/RK,315 PEMI1QFN/RM,315 PEMI1QFN/RP,315 PEMI1QFN/RR,315