PEMH15115

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PEMH15115
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
NXP
-
22+
-
原厂渠道，现货配单

PEMH15115
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
32078
NXP/恩智浦
23+
-
终端免费提样，可开票

PEMH15115
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王俊杰
电话：188185984650755-23763516
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
NXP USA Inc.
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

PEMH15115
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3881
NXP
SOT666
2235+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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PEMH15115 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PEMH15115 技术参数

PEMH15,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:4.7 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMH13,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMH11,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMH10,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMF21,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 200 @ 10mA，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:PEMF21 标准包装:1 PEMH30,315 PEMH4,115 PEMH7,115 PEMH9,115 PEMH9,315 PEMI1QFN/CE,315 PEMI1QFN/CG,315 PEMI1QFN/CK,315 PEMI1QFN/CM,315 PEMI1QFN/CP,315 PEMI1QFN/CR,315 PEMI1QFN/CT,315 PEMI1QFN/HE,315 PEMI1QFN/HG,315 PEMI1QFN/HK,315 PEMI1QFN/HM,315 PEMI1QFN/HP,315 PEMI1QFN/HR,315