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PEMG3015EH

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    PEMG3015EH

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

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PEMG3015EH 技术参数
  • PEMF21,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,12V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 200 @ 10mA,2V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:PEMF21 标准包装:1 PEMD9,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMD48,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):4.7 千欧,22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V / 100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PEMD4,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:P*MD4 标准包装:1 PEMD3,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 基本零件编号:P*MD3 标准包装:1 PEMH17,115 PEMH18,115 PEMH19,115 PEMH2,115 PEMH2,315 PEMH20,115 PEMH24,115 PEMH30,115 PEMH30,315 PEMH4,115 PEMH7,115 PEMH9,115 PEMH9,315 PEMI1QFN/CE,315 PEMI1QFN/CG,315 PEMI1QFN/CK,315 PEMI1QFN/CM,315 PEMI1QFN/CP,315
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