您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 > P字母第957页 >

PD85025STR-E

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PD85025STR-E
    PD85025STR-E

    PD85025STR-E

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原装正品 欢迎洽谈 电话010-62...

  • PD85025STR-E
    PD85025STR-E

    PD85025STR-E

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 86900

  • STMicroelectronics

  • PowerSO-10RF(直引线)

  • 18+

  • -
  • TRANS RF N-CH FET PO...

  • PD85025STR-E
    PD85025STR-E

    PD85025STR-E

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3000

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共17条 
  • 1
PD85025STR-E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
  • RoHS
  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 配置
  • Single
  • 晶体管极性
  • 频率
  • 1800 MHz to 2000 MHz
  • 增益
  • 27 dB
  • 输出功率
  • 100 W
  • 汲极/源极击穿电压
  • 漏极连续电流
  • 闸/源击穿电压
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • NI-780-4
  • 封装
  • Tray
PD85025STR-E 技术参数
  • PD85025S-E 功能描述:FET RF 40V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17.3dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:PowerSO-10RF(直引线) 标准包装:50 PD85025-E 功能描述:FET RF 40V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17.3dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) 供应商器件封装:PowerSO-10RF(成形引线) 标准包装:50 PD85025C 功能描述:FET RF 40V 945MHZ M243 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:M243 供应商器件封装:M243 标准包装:25 PD85015TR-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:16dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) 供应商器件封装:PowerSO-10RF(成形引线) 标准包装:1 PD85015STR-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:16dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:PowerSO-10RF(直引线) 标准包装:600 PD86-3-1180-CANOPEN PD86-3-1180-TMCL PD9001GR/AC PD-9001GR/AC-US PD9010DHN PD9010DKN PD9010H PD90XA57 PD90XB57 PD90XC57 PD93-21C/TR8 PD9501GR/AC PD95-21B/TR10 PDA 160160-EL PDA 240160-EL PDA 320240-EL PDA000001 PDA000002
配单专家

在采购PD85025STR-E进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PD85025STR-E产品风险,建议您在购买PD85025STR-E相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PD85025STR-E信息由会员自行提供,PD85025STR-E内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号