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NX7SZ32P5X

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NX7SZ32P5X
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2507
FAIRCHILD
932
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公司现货!只做原装!

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NX7SZ32P5X 技术参数

NX7102IDETR 功能描述:IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器系列:* 产品培训模块:High Efficiency Current Mode Switching Regulators CMOS LDO Regulators 特色产品:BD91x Series Step-Down Regulators 标准包装:2,500 系列:- 类型:降压（降压）输出类型:两者兼有输出数:2 输出电压:3.3V，0.8 V ~ 2.5 V 输入电压:4.5 V ~ 5.5 V PWM 型:电流模式频率 - 开关:1MHz 电流 - 输出:1.5A 同步整流器:是工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘包装:带卷 (TR) 供应商设备封装:VQFN020V4040 产品目录页面:1373 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BD9152MUV-E2TR NX7002BKXBZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:260mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V 功率 - 最大值:285mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（1.1x1）标准包装:1 NX7002BKWX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V SC-70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 NX7002BKSX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSSOP 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 标准包装:1 NX7002BKR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 NX8045GB-16.000M-STD-CSJ-1 NX8045GB-16.934400MHZ NX8045GB-18.432000MHZ NX8045GB-20.000000MHZ NX8045GB-20.000M-STD-CSF-4 NX8045GB-24.000000MHZ NX8045GB-24.000M-STD-CSF-4 NX8045GB-25.000000MHZ NX8045GB-25.000M-STD-CSF-4 NX8045GB-27.000000MHZ NX8045GB-30.000000MHZ NX8045GB-32.000000MHZ NX8045GB-40.000000MHZ NX8045GB-40.000M-STD-CSJ-1 NX8045GB-5MHZ-STD-CSF-3 NX8045GB-6MHZ-STD-CSF-3 NX8045GB-7.3728MHZ-STD-CSF-3 NX8045GB-7.5MHZ-STD-CSF-4