NX1117C18Z.115

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NX1117C18Z.115 技术参数

NX1117C18Z,115 功能描述:低压差稳压器 - LDO 20VIN 1.8 VOUT Fixed RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 NX1117C15Z,115 功能描述:低压差稳压器 - LDO 20VIN 1.5 VOUT Fixed RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 NX1117C12Z,115 功能描述:低压差稳压器 - LDO 20VIN 1.2 VOUT Fixed RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 NX1117C120Z,115 功能描述:低压差稳压器 - LDO Linear regulator RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 NX1029X,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V，50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:330mA，170mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 NX1117CE18Z,115 NX1117CE19Z,115 NX1117CE20Z,115 NX1117CE25Z,115 NX1117CE285Z,115 NX1117CE33Z,115 NX1117CE50Z,115 NX1117CEADJZ,115 NX1-15T-KT3K NX1-15T-KT9K NX1-15T-KT9K(05) NX1255GB-10.000000MHZ NX1255GB-12.000000MHZ NX1255GB-12.288000MHZ NX1255GB-13.560000MHZ NX1255GB-14.318180MHZ NX1255GB-16.000000MHZ NX1255GB-18.432000MHZ