NJM2711F(TE1)

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NJM2711F(TE1)
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3624
JRC
SOT23
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NJM2711F(TE1) 技术参数

NJM2710V-TE1# 功能描述:IC OPAMP HEX ULTRA HI-SPD 20SSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 产品培训模块:Differential Circuit Design Techniques for Communication Applications 标准包装:1 系列:- 放大器类型:RF/IF 差分电路数:1 输出类型:差分转换速率:9800 V/µs 增益带宽积:- -3db带宽:2.9GHz 电流 - 输入偏压:3µA 电压 - 输入偏移:- 电流 - 电源:40mA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源，单路/双路(±):3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘，CSP 供应商设备封装:16-LFCSP-VQ 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:551 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:ADL5561ACPZ-R7CT NJM2710V-TE1 功能描述:高速运算放大器 Hex Ultra Hi-Speed RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NJM2670E3 功能描述:功率驱动器IC Dual H Bridge Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NJM2670D2 功能描述:功率驱动器IC Dual H Bridge Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NJM2624AM# 功能描述:IC BRUSHLESS MOTOR PRE-DVR 16DMP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电机和风扇控制器，驱动器系列:- 产品变化通告:ATA683(3,4)PLQW Obsolescence 09/Aug/2012 标准包装:1 系列:- 应用:DC 电机控制器，无刷（BLDC），3 相评估套件:可供输出数:1 电流 - 输出:100mA 电压 - 负载:5.25 V ~ 20 V 电源电压:5.25 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘供应商设备封装:48-VQFN（7x7）包装:剪切带 (CT) 其它名称:ATA6833-PLQWCT NJM2737RB1-TE1 NJM2737RB1-TE1# NJM2739E-TE1 NJM2748AD NJM2748AM NJM2748D NJM2749AD NJM2749AM NJM2749M-TE1 NJM2750M NJM2752RB2-TE1 NJM2752V-TE1 NJM2753V-TE1 NJM2755V-TE1 NJM2761RB2-TE1 NJM2770M NJM2770RB1-TE1 NJM2770RB1-TE1#