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NAND08GW3B2CN6F(EOL)

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NAND08GW3B2CN6F(EOL)
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
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NAND08GW3B2CN6F(EOL) PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NAND08GW3B2CN6F(EOL) 技术参数

NAND08GAH0JZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) NAND08GAH0FZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘其它名称:497-5040 NAND08GAH0BZA5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 169LFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘其它名称:497-5040 NAND04GW3C2BN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘其它名称:497-5040 NAND04GW3B2DN6E 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6F NAND128W3A2BN6F TR NAND128W3A2BNXE NAND128W3AABN6E NAND16GW3B6DPA6E NAND16GW3B6DPA6F NAND16GW3B6DPA6F TR NAND16GW3D2BN6E NAND16GW3F2AN6E NAND256R3A2BZA6E NAND256W3A0AN6 NAND256W3A0AN6E NAND256W3A0AN6F NAND256W3A0BE06 NAND256W3A0BN6E NAND256W3A0BN6F TR NAND256W3A0BZA6E