MTD3055VLT1

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MTD3055VLT1G
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3606
ON
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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MTD3055VLT1 技术参数

MTD3010PM 功能描述:Photodiode 900nm 120° 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效波长:900nm 颜色 - 增强:红外（NIR）/红频谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:- 不同 nm 时的响应度:0.2 A/W @ 450nm 响应时间:- 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 暗（典型值）:10nA 有效面积:- 视角:120° 工作温度:-30°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:- 标准包装:12 MTD3010N 功能描述:Photodiode 900nm 16° 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效波长:900nm 颜色 - 增强:红外（NIR）/红频谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:- 不同 nm 时的响应度:0.2 A/W @ 450nm 响应时间:- 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 暗（典型值）:10nA 有效面积:- 视角:16° 工作温度:-30°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:- 标准包装:4 MTD1200M3B 功能描述:Photodiode 925nm 2μs 130° 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效波长:925nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:- 不同 nm 时的响应度:- 响应时间:2μs 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 暗（典型值）:500pA 有效面积:- 视角:130° 工作温度:-20°C ~ 85°C 安装类型:通孔封装/外壳:- 标准包装:14 MTD1114M3B 功能描述:Photodiode 925nm 2μs 130° 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效波长:925nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:- 不同 nm 时的响应度:- 响应时间:2μs 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 暗（典型值）:500pA 有效面积:- 视角:130° 工作温度:-20°C ~ 85°C 安装类型:通孔封装/外壳:- 标准包装:14 MTC-MVW1-B03-KIT 功能描述:LTE CAT M1 MODEM, USB INTERFACE 制造商:multi-tech systems inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:10 MTD6100PT MTD6501C-HC1 MTD6501C-LC1 MTD6501D-HC1 MTD6501D-LC1 MTD6501G-HC1 MTD6501G-LC1 MTD6502B-HC1-00 MTD6502B-HC1-01 MTD6502B-HC1-02 MTD6502B-LC1-00 MTD6502B-LC1-01 MTD6502B-LC1-02 MTD6505T-E/NA MTD6508-ADJE/JQ MTD6508-E/NA MTD6508T-ADJE/JQ MTD6508T-E/NA