MT46V128M4S2FG-75DONOTUSE

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MT46V128M4S2FG-75DONOTUSE 技术参数

MT46V128M4P-75:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:托盘其它名称:Q2841869 MT46V128M4P-75:D 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:托盘其它名称:Q2841869 MT46V128M4P-6T:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT46V128M4P-6T:F 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT46V128M4P-6T:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:托盘其它名称:Q2841869 MT46V128M8P-6T IT:A MT46V128M8P-6T:A MT46V128M8P-6T:A TR MT46V128M8P-75:A MT46V128M8P-75:A TR MT46V128M8TG-6T:A MT46V128M8TG-6T:A TR MT46V128M8TG-75:A MT46V128M8TG-75:A TR MT46V16M16BG-5B:F TR MT46V16M16BG-6 IT:F TR MT46V16M16BG-6:F MT46V16M16BG-6:F TR MT46V16M16CY-5B AAT:M MT46V16M16CY-5B AAT:M TR MT46V16M16CY-5B AIT:M MT46V16M16CY-5B AIT:M TR MT46V16M16CY-5B IT:M