LTC1255IN8PBF

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LTC1255IN8PBF 技术参数

LTC1255IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 LTC1255CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC1255CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立输入类型:非反相延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) LTC1255CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC1250CS8#TRPBF 功能描述:IC BRIDGE AMP ZERO-DRIFT 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:1 系列:- 放大器类型:通用电路数:4 输出类型:满摆幅转换速率:0.028 V/µs 增益带宽积:105kHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:3nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:3.3µA 电流 - 输出 / 通道:12mA 电压 - 电源，单路/双路(±):2.7 V ~ 12 V，±1.35 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:14-TSSOP 包装:剪切带 (CT) 其它名称:OP481GRUZ-REELCT LTC1258CMS8-2.5#PBF LTC1258CMS8-2.5#TRPBF LTC1258CMS8-3#PBF LTC1258CMS8-3#TRPBF LTC1258CMS8-4.1#PBF LTC1258CMS8-4.1#TRPBF LTC1258CMS8-5#PBF LTC1258CMS8-5#TRPBF LTC1258CS8#PBF LTC1258CS8#TRPBF LTC1258CS8-2.5#PBF LTC1258CS8-2.5#TRPBF LTC1258CS8-3#PBF LTC1258CS8-3#TRPBF LTC1258CS8-4.1#PBF LTC1258CS8-4.1#TRPBF LTC1258CS8-5#PBF LTC1258CS8-5#TRPBF