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说明
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CS
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
340423
TE
con
24+
-
优势库存，原装正品

CS
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
60000
TYCO
Standard
2024+
-
保证原装现货

CS
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
西门子
SOT-23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CS
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
340423
TE
con
24+
-

CS
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
340423
TE
con
24+
-

CS
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
340423
TE
con
24+
-
优势库存，原装正品

CS
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
340423
TE
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

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制造商
Middle Atlantic Products
功能描述
制造商
Power-One
功能描述

CS 技术参数

CRZ47(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:65 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 37.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ47(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 47V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:65 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 37.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ43(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 34.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ39(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 31.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ36(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 28.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CS-00505 CS-00510 CS-00516 CS0068-000 CS0078-000 CS0085-000 CS0091-000 CS0095-000 CS01.0121.150 CS01.0221.150 CS0103-000 CS0143-000 CS-018-114.285M CS-018-114.285MHZ CS02.0221.150 CS-023-114.285M CS-023E-114.285M CS-03

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