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JANTX1N66386

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JANTX1N66386
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐/张先生
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
2220
MICROSEMI CORPORATION
原厂原装
24+
-
授权代理商

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JANTX1N66386 技术参数

JANTX1N6638 功能描述:Diode Standard 125V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/578 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 125V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:D，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANTX1N6637US 功能描述:Zener Diode 5.1V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANTX1N6637 功能描述:Zener Diode 5.1V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANTX1N6635US 功能描述:Zener Diode 4.3V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANTX1N6633US 功能描述:Zener Diode 3.6V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 JANTX1N6642U JANTX1N6642UB JANTX1N6642UB2 JANTX1N6642UB2R JANTX1N6642UBCA JANTX1N6642UBCC JANTX1N6642UBD JANTX1N6642US JANTX1N6643 JANTX1N6643U JANTX1N6643US JANTX1N6660 JANTX1N6660CAT1 JANTX1N6660CCT1 JANTX1N6660DT1 JANTX1N6661 JANTX1N6661US JANTX1N6662